洛桑聯(lián)邦理工學(xué)院Drazen Dujic教授學(xué)術(shù)講座通知

2024-07-05 8:59

應我院李彬彬教授邀請，洛桑聯(lián)邦理工學(xué)院（EPFL）Drazen Dujic教授將于2024年07月09日-07月10日訪(fǎng)問(wèn)哈爾濱工業(yè)大學(xué)，并將舉辦2場(chǎng)學(xué)術(shù)講座，歡迎各位老師、同學(xué)參加。

報告1：

報告題目：“Direct Current Transformer for MVDC Applications”

報告時(shí)間：2024年7月9日 10:00—12:00

報告地點(diǎn)：哈爾濱工業(yè)大學(xué)科技園科創(chuàng )大廈K831室

報告簡(jiǎn)介：中壓直流變壓器是中壓直流 (MVDC) 配電系統中的關(guān)鍵技術(shù)。本報告將聚焦大功率、兆瓦級中壓直流-直流變壓器，結合EPFL在該領(lǐng)域中取得的原創(chuàng )性成果，介紹其拓撲結構、高壓功率半導體器件、磁性元件以及相關(guān)的控制和保護方法。

報告2：

報告題目：“SiC MOSFET Gate Drivers for High Power Applications”

報告時(shí)間：2024年7月10日 9:30—11:30

報告地點(diǎn)：哈爾濱工業(yè)大學(xué)科技園科創(chuàng )大廈K831室

報告簡(jiǎn)介：SiC MOSFET作為新一代功率器件，近年來(lái)取得了快速的發(fā)展與廣泛應用。與硅器件相比，SiC MOSFET具有更高的電壓阻斷能力、更高的開(kāi)關(guān)頻率和潛在的耐高溫能力，這些優(yōu)異的特性將極大地提高了電力電子變換系統的性能。SiC MOSFET的柵極是電力電子系統中控制和功率之間的紐帶，其柵極驅動(dòng)的設計對于充分發(fā)揮器件的潛力至關(guān)重要。本報告涵蓋SiC器件的基礎知識、超高速開(kāi)關(guān)特性、柵極驅動(dòng)原理和器件保護，并重點(diǎn)探討其在大功率應用中的技術(shù)問(wèn)題。

DRAZEN DUJIC教授介紹：

Drazen Dujic是洛桑聯(lián)邦理工學(xué)院副教授、電力電子實(shí)驗室(Power Electronics Laboratory, PEL)主任。分別于2002年和2005年獲得塞爾維亞諾維薩德大學(xué)學(xué)士和碩士學(xué)位，并于2008年獲得英國利物浦約翰摩爾斯大學(xué)博士學(xué)位。2003年至2006年，擔任諾維薩德大學(xué)技術(shù)科學(xué)學(xué)院的研究助理。2006年至2009年，擔任利物浦約翰摩爾斯大學(xué)助理研究員。2009年至2013年，先后擔任ABB企業(yè)研究中心的科學(xué)家和首席科學(xué)家；2013年至2014年，擔任ABB中壓傳動(dòng)公司研發(fā)經(jīng)理。自2014年以來(lái)，加入洛桑聯(lián)邦理工學(xué)院，聚焦中壓領(lǐng)域的電能變換、儲能、新能源發(fā)電等場(chǎng)景，研究先進(jìn)大功率電力電子系統和高性能驅動(dòng)器的。先后獲得EPE杰出服務(wù)獎、Isao Takahashi電力電子杰出成就獎。近五年主持10余個(gè)科研項目，研究經(jīng)費近700萬(wàn)歐元，發(fā)表文章100余篇。Drazen Dujic教授目前是IEEE 電力電子學(xué)分會(huì )歐洲-非洲地區主席，IEEE高級會(huì )員和EPE會(huì )員，并擔任IEEE Transactions on Power Electronics期刊副主編。